Оптопара с транзистором на выходе EL817(D)-F в DIP-корпусе.

Спецификация

• прямое напряжение Vf (If=20mA): до 1,4 В;
• обратный ток Ir (Vr=4V): до 10 мкА;
• темновой ток (выход) Iceo (Vce=20V): до 100 нА;
• пробивное напряжение коллектор-эмиттер (выход) BVceo (Ic=0.1mA): от 35 В;
• коэффициент передачи по току CTR (%) (If=5mA, Vce=5V): от 300 до 600 (для модели D);
• напряжение насыщения коллектор-эмиттер Vce (sat) (If=20mA, Ic=1mA): до 0,2 В;
• время нарастания tr (Vce=2V Ic=2mA, RL=100 Om): до 18 мс;
• время спада tf (Vce=2V Ic=2mA, RL=100 Om): до 18 мс;
• напряжение изоляции: 5 кВ.